LDR6500 PD 协议芯片的运用场景

LDR6500 是一款由 乐得瑞科技（Leadrive Technology） 开发的 USB PD（Power Delivery）协议芯片，专为支持 USB Type-C 接口的电源管理和快充场景设计。其高集成度、多协议兼容性和安全保护功能使其在多个领域有广泛的应用。以下是 LDR6500 芯片的主要应用场景： 一、消费电子产品 智能手机与平板电脑 支持 USB PD 快充，实现 18W-100W 的高效充电（需搭配适配器功率）。 兼容多种快充协议（如 QC、AFC），适配不同品牌设备的充电需求。 笔记本电脑与超极本 为 USB Type-C 接口的笔记本电脑提供
2025-03-16 56471 [ 科创闲谈 ] 查看

力合微电子荣获2024年度深圳市集成电路产业高质量发展奖

2025年3月7日，由深圳市半导体行业协会主办的2024年度深圳市集成电路产业总结大会在深圳隆重召开。大会汇聚了政府领导、协会专家及产业链上下游企业代表等500余人，总结2024年产业发展成果，并表彰为行业高质量发展作出突出贡献的个人和企业。 力合微电子凭借在电力线通信（PLC）技术领域的持续创新和产业化应用，与汇顶科技、国民技术、必易微等企业共同荣获高质量发展奖，这一奖项不仅是对我们技术突破与产业贡献的认可，更是对集成电路行业向高精尖领域持续进发的激励与期许。 集成电路是数字时代的基石，是驱动科技革命的核心引擎。在追求高质量发展的征程中，我们始终以"创新驱动、精益求精"为核心理念
2025-03-15 54999 [ 科创闲谈 ] 查看

MOS高温挑战终结者？仁懋三款MOS器件引爆主机能效革命

高性能主机的“供电生死局” 随着RTX 40系显卡、13代酷睿处理器功耗突破600W，传统MOS器件正面临前所未有的极限挑战。某硬件论坛调研显示，27%的蓝屏/死机故障源于供电模块MOS过热或瞬态响应失效。在机箱空间紧缩与散热压力倍增的当下，以下难题尤为突出： - 高温枷锁：MOS温升＞100℃触发降频，导致CPU/GPU性能折损高达15%； - 瞬态响应危机：显卡瞬间功率激增引发Vcore电压波动＞200mV； 仁懋电子MOS系列（MOT3080D、MOT3136G、MOT3180G等）通过“拓扑重构+封装革命”，为高性能主机打造极致供电解决方案。 技术破局：三大核心战力重构供电标
2025-03-13 102005 [ 科创闲谈 ] 查看

AI井喷引爆MWC2025！智能网络和终端大变革！

电子发烧友原创 章鹰 3月3日，全球通信行业的“风向标”——2025年世界移动通信大会（MWC25）在西班牙巴塞罗那开幕。本届MWC以“汇聚·连接·创造”为主题，聚焦5G-A、AI、物联网等前沿技术，吸引全球2700多家厂商参展。 中国企业在此次MWC上大放光彩，中国移动、中国联通、华为、中兴通讯、中国信科、紫光展锐、江波龙、联想、荣耀、小米、移远通信、广和通等中国厂商集体亮相。美国企业高通、英特尔等也带来最新在5G-A和AI领域最新的技术和产品，本文将从5G-A和AI赋能的网络领域和AI终端和模组领域，为大家汇总最新的前沿趋势。AI应用加速，驱动网络变革！华为、高通推出最新网络和基带方案
2025-03-11 62129 [ 科创闲谈 ] 查看

用AI人脸识别开发板BW21-CBV-Kit驱动墨水屏

拿到BW21-CBV-Kit的小伙伴不知道怎么下手？提前看最全教程已经准备好啦 以下作品由安信可社区用户 iiv制作 大家好，今天试着用BW21-CBV-Kit点亮2.9寸墨水屏，开发板例程非常丰富，在arduino上开发的话上手超级容易，简直就是有手就行（参考【最全教程】如何使用BW21-CBV-Kit？最新最全教程来了~）。 实物展示： 接线定义： 由于这个墨水屏的驱动库默认是没有在示例里面，需要去git自己下载(在附件中) 链接： https://github.com/Ameba-AIoT/ameba-arduino-pro2/tree
2025-03-10 108595 [ 科创闲谈 ] 查看

鼎阳科技获深圳市宝安区颁发“校企共建实训基地”称号

2月28日下午，宝安区高技能人才培训载体授牌仪式在宝安城市学院盛大举行。本次活动由宝安区人力资源局主导，职业训练协会协办，旨在表彰在宝安区技能人才培养方面表现突出的单位，进一步激发职业能力建设的协同动力，推动构建“政府引导、企业为主、多方参与”的技能人才培养良性生态体系。 在授牌仪式上，共有20余家产教融合标杆单位获得表彰。其中，鼎阳科技凭借自身在产学研合作的卓越贡献，荣获“校企共建实训基地”称号。这一荣誉的获得，标志着鼎阳科技在教育领域的深度实践得到了高度认可和肯定。 鼎阳科技作为通用电子测试测量领域的领军企业，二十余年来一直深耕行业，同时，公司在高校教育测试测量领域的耕耘也
2025-03-09 71048 [ 科创闲谈 ] 查看

Vivado FIR IP核实现

IP核概述 Xilinx的FIR IP核属于收费IP，但是不需要像 Quartus那样通过修改license文件来破解。如果是个人学习，现在网络上流传的license破解文件在破解Vivado的同时也破解了绝大多数可以破解的IP核。只要在IP Catalog界面中FIR Compiler的License状态为“Included”即可正常使用。 IP核参数设置 和Quartus不一样，Vivado的FIR Compiler没有提供设计FIR滤波器和生成滤波器系数的功能，因此需要使用MATLAB等其它工具设计好滤波器再将系数导入到IP核中。MATLAB的FDATOO
2025-03-08 99353 [ 科创闲谈 ] 查看

等离子体蚀刻工艺对集成电路可靠性的影响

文章来源：学习那些事 原文作者：小陈婆婆 随着集成电路特征尺寸的缩小，工艺窗口变小，可靠性成为更难兼顾的因素，设计上的改善对于优化可靠性至关重要。本文介绍了等离子刻蚀对高能量电子和空穴注入栅氧化层、负偏压温度不稳定性、等离子体诱发损伤、应力迁移等问题的影响，从而影响集成电路可靠性。 集成电路可靠性是产品寿命、稳定性和性能的关键， 晶圆制造阶段的可靠性问题主要源于工艺步骤对器件的潜在损伤。 等离子体蚀刻工艺对集成电路可靠性有广泛且决定性的影响，本文分述如下： 可靠性与失效时间 等离子体蚀刻对高能量电子和空穴注入栅氧化层(HCl)的影响 等离子体蚀刻对负偏压温度不稳定性(
2025-03-08 62354 [ 科创闲谈 ] 查看

恩智浦RT10XX降低唤醒时冲击电流的方案

近来有客户反馈，当使用RT1060从suspend mode唤醒时，会在VDD_HIGH_IN观测到一个较大电流。与此同时，电压也会产生一个较大的跌落，下降到RT1060的临界数值3.0V附近。在一些极端情况下可能会引起MCU异常无法正常工作。 如下图所示，VDD_HIGH_IN主要为芯片内部的analog部分供电，主要包括各类PLL，晶振，fuse，以及LDO。 经过查阅应用笔记，Suspend模式下，芯片内部的LDO_2P5和LDO_1P1会被关闭以降低功耗，当唤醒时，这两个LDO将会被启动为芯片内部的电路供电。另外，这两个LDO还外接了电容，在进入Suspend的时
2025-03-07 108730 [ 科创闲谈 ] 查看

激光干涉仪对磁致伸缩位移传感器的精度校准

激光干涉仪在磁致伸缩位移传感器的精度校准中扮演着至关重要的角色。由于激光干涉仪具有极高的分辨率和精度，可以为磁致伸缩位移传感器提供一个高精度的标准参考，从而进行精准的标定和校准。激光干涉仪的原理基于光的干涉效应，能够测量非常微小的位移，通常具有纳米级甚至更高的精度，因此是理想的标准工具。 激光干涉仪对磁致伸缩位移传感器的精度校准 以下是使用激光干涉仪进行磁致伸缩位移传感器精度校准的过程及其优势： 1. 激光干涉仪的工作原理 激光干涉仪利用光的干涉效应，测量物体的微小位移。通过发射一束激光光束，经过反射或折射后与参考光束叠加，形成干涉条纹。这些条纹的位置变化可以精确地反映出物体的位
2025-03-05 75884 [ 科创闲谈 ] 查看
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