半导体制造工艺中的离子植入技术(IMP)
离子植入制程是改变半导体电学特性非常重要的一个方式。
IMP的主要好处：
注入的掺杂离子不受靶材溶解度的限制，灵活多样
精确控制
横向扩散不严重
大面积均匀性
纯度高同时也是相对低温过程
化合物半导体的应用（第三代半导体）使得更加有价值
离子植入的基本要求：Ion Implantation： 1.精确的注入离子数量 2.精确的注入到靶内部的深度与分布 3.精确控制晶圆上注入的位置 4.完成注入后的晶格恢复与激活 离子植入需要知道的重点： 离子射程与浓度分布，通道效应与阴影效应，电子中和，快速退火 按以下的方式逐步展开：
•半导体的重要性质：可控制性
•
